C30B 29/06 — кремний

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава

Загрузка...

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Кармоков Ахмет Мацевич, Карамурзов Барасби Сулейманович

МПК: C30B 30/06, C30B 15/00, C30B 29/06...

Метки: монокристаллов, способ, кремния, выращивания, расплава

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...

Способ и устройство для получения монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 17453

Опубликовано: 28.12.2012

Авторы: Нильсен Анна, Петерсен Ян Эювинг, Йенсен Леиф, Ларсен Теис Лет, Вобенгор Пер

МПК: C30B 29/06, C30B 13/26, C30B 13/32...

Метки: монокристалла, способ, получения, устройство

Формула / Реферат:

1. Способ получения монокристалла, включающий стадии, на которыхподают поликристаллический стержень в область нагревания для образования зоны плавления,прикладывают магнитное поле к зоне плавления, причем магнитное поле создают пропусканием постоянного электрического тока через соленоидную катушку, при этом магнитное поле ориентируют, по существу, аксиально относительно поликристаллического стержня посредством размещения соленоидной катушки...

Изобретения категории «кремний» в СССР.

Способ и устройство очистки низкокачественного кремнийсодержащего материала

Загрузка...

Номер патента: 15387

Опубликовано: 31.08.2011

Авторы: Буасвер Рене, Леблан Доминик

МПК: C01B 33/02, C01B 33/12, C01B 33/037...

Метки: очистки, способ, устройство, материала, кремнийсодержащего, низкокачественного

Формула / Реферат:

1. Способ очистки кремнийсодержащего материала низкой чистоты, в котором в плавильном устройстве, оборудованном кислородной горелкой, плавят кремнийсодержащий материал низкой чистоты для получения расплава кремнийсодержащего материала более высокой чистоты.2. Способ по п.1, в котором плавильное устройство включает в себя барабанную печь.3. Способ по п.1, в котором указанную плавку кремнийсодержащего материала низкой чистоты в плавильном...

Способ непрерывного получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем

Загрузка...

Номер патента: 15219

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Йоон Киунг Коо, Ким Хее Йоунг, Чой Вон Чоон, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06

Метки: псевдоожиженным, слоем, реактора, использованием, получения, поликристаллического, способ, непрерывного, кремния

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, в котором средства подачи реакционного газа для обеспечения кремнийсодержащего реакционного газа расположены внутри трубы реактора так, что выпускное отверстие реакционного газа из средства подачи реакционного газа расположено внутри слоя из частиц кремния, при этом верхнее пространство выше выпускного отверстия реакционного газа определяется как...

Способ и установка для получения гранулированного поликремния

Загрузка...

Номер патента: 14621

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Ким Хее Янг, Йоон Киунг Коо, Чой Вон Чоон, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 29/06, C30B 25/00

Метки: гранулированного, поликремния, способ, установка, получения

Формула / Реферат:

1. Установка для получения гранулированного поликремния, содержащаяреакторную трубу, внутреннее пространство которой содержит зону нагревания и реакционную зону, расположенную выше зоны нагревания;корпус реактора, окружающий реакторную трубу;устройство подачи псевдоожижающего газа для ввода псевдоожижающего газа в зону нагревания через выпуск псевдоожижающего газа устройства распределения газа, расположенного внизу зоны нагревания;устройство...

Установка и способ изготовления стержней из высокочистого кремния с использованием смешанного сердечникового средства

Загрузка...

Номер патента: 13675

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Чой Вон Чоон, Йоон Киунг Коо, Со Вон Воок, Ким Хее Янг, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 25/18, C30B 29/06

Метки: смешанного, стержней, изготовления, средства, использованием, сердечникового, кремния, установка, способ, высокочистого

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления стержня из поликристаллического кремния с использованием смешанного средства сердечника, содержащий:(a) размещение первого средства сердечника, изготовленного из резистивного материала, вместе со вторым средством сердечника, изготовленным из кремниевого материала, во внутреннем пространстве реактора осаждения;(b) электрическое нагревание первого средства сердечника и предварительное нагревание второго средства сердечника...

Способ получения si путем восстановления sicl4 жидким zn

Загрузка...

Номер патента: 12213

Опубликовано: 28.08.2009

Авторы: Зейлема Тьякко, Робер Эрик

МПК: C01B 33/033, C01B 33/037, C30B 15/00...

Метки: получения, путем, sicl4, жидким, восстановления, способ

Формула / Реферат:

1. Способ превращения SiCl4 в металлический Si, включающий стадии введения газообразного SiCl4 в контакт с жидкой металлической фазой, содержащей Zn, с получением таким образом металлической фазы, содержащей Si, и хлорида Zn; отделения хлорида Zn от металлической фазы, содержащей Si, и очистки металлической фазы, содержащей Si, при температуре, превышающей температуру кипения Zn, с испарением таким образом Zn и получением металлического Si,...

Способ и устройство для очистки расплавленного материала

Загрузка...

Номер патента: 11381

Опубликовано: 27.02.2009

Автор: Фрьестад Кеннет

МПК: C30B 15/10, C30B 35/00, C30B 29/06...

Метки: очистки, устройство, материала, расплавленного, способ

Формула / Реферат:

1. Способ рафинирования материала, который включает стадии образования расплава материала в емкости; приведения температурно-регулируемой контактной поверхности элемента в контакт с поверхностью расплава, при этом указанная температурно-регулируемая контактная поверхность не контактирует со стенками емкости и поддерживаются условия для кристаллизации расплавленного материала и его удерживания на температурно-регулируемой контактной поверхности;...

Способ получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 9887

Опубликовано: 28.04.2008

Автор: Каресев Игорь Юрьевич

МПК: C01B 33/03, C30B 29/06, C01B 33/107...

Метки: поликристаллического, кремния, способ, получения

Формула / Реферат:

Способ получения поликристаллического кремния, включающий водородное восстановление кремния, отличающийся тем, что получение кремния осуществляют путем хлорирования в солевом расплаве техногенных отходов, содержащих редкоземельные металлы, с выходом газовой фазы тетрахлорсилана, с последующей его очисткой и восстановлением в среде ионизированного водорода в плазмохимическом реакторе, при этом расплавленной средой служит электролит, содержащий...

Кремниевое исходное сырьё для солнечных элементов

Загрузка...

Номер патента: 9791

Опубликовано: 28.04.2008

Авторы: Захеди Кирус, Тронстад Рагнар, Фрьестад Кеннет, Энебакк Эрик, Детлофф Кристиан

МПК: C01B 33/037, C01B 33/00, C03B 13/00...

Метки: исходное, кремниевое, элементов, солнечных, сырьё

Формула / Реферат:

1. Кремниевое исходное сырье для производства получаемых направленной кристаллизацией Чохральского, зонной плавкой поликристаллических слитков, тонких листов или лент кремния для изготовления кремниевых пластин для ФЭ солнечных элементов, отличающееся тем, что оно содержит от 0,3 до 5,0 амд бора и от 0,5 до 3,5 амд фосфора, менее 50 амд элементов-металлов и менее 100 амд углерода. 2. Кремний для изготовления пластин солнечных элементов,...