C30B 11/04 — добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Способ легирования полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 23641

Опубликовано: 30.06.2016

Авторы: Форстер Максим, Стадлер Джэки, Фурмон Эрванн, Ловрей Юбер, Айнхаус Роланд

МПК: C30B 11/04

Метки: способ, легирования, полупроводникового, материала

Формула / Реферат:

1. Способ легирования полупроводникового материала, содержащий следующие этапы:обеспечение тигля (1), содержащего сырье (4) упомянутого полупроводникового материала,размещение легирующего материала (6) в закрытом расходуемом резервуаре (5а), образованном упомянутым полупроводниковым материалом,помещение резервуара (5а) в тигель (1),плавление содержимого тигля (1).2. Способ по п.1, согласно которому закрытый расходуемый резервуар (5а) выполнен...

Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 27

Опубликовано: 26.02.1998

Авторы: Бакунов Олег Валерьевич, Лингарт Юрий Карлович

МПК: C30B 11/04, C30B 29/16

Метки: ювелирный, способ, получения, материал, монокристаллический

Формула / Реферат:

1. Монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий, и окрашивающую добавку, отличающийся тем, что в качестве окрашивающей добавки он содержит металлическую медь при следующем соотношении компонентов, мас. %: Оксид кальция, магния или иттрия 16-30 Металлическая медь 0,1-0,5 Оксид циркония или ...