C30B — Выращивание монокристаллов

Способ легирования полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 23641

Опубликовано: 30.06.2016

Авторы: Фурмон Эрванн, Стадлер Джэки, Айнхаус Роланд, Форстер Максим, Ловрей Юбер

МПК: C30B 11/04

Метки: способ, легирования, материала, полупроводникового

Формула / Реферат:

1. Способ легирования полупроводникового материала, содержащий следующие этапы:обеспечение тигля (1), содержащего сырье (4) упомянутого полупроводникового материала,размещение легирующего материала (6) в закрытом расходуемом резервуаре (5а), образованном упомянутым полупроводниковым материалом,помещение резервуара (5а) в тигель (1),плавление содержимого тигля (1).2. Способ по п.1, согласно которому закрытый расходуемый резервуар (5а) выполнен...

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава

Загрузка...

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Кармоков Ахмет Мацевич, Карамурзов Барасби Сулейманович

МПК: C30B 30/06, C30B 29/06, C30B 15/00...

Метки: способ, выращивания, расплава, монокристаллов, кремния

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...

Печь для плавления-затвердевания с изменяющимся теплообменом через боковые стенки

Загрузка...

Номер патента: 19628

Опубликовано: 30.05.2014

Авторы: Гаранде Жан-Поль, Пеллетье Давид

МПК: C30B 35/00, C30B 11/00, C30B 33/02...

Метки: стенки, плавления-затвердевания, изменяющимся, печь, теплообменом, боковые

Формула / Реферат:

1. Печь (1) для плавления и последующего отверждения кристаллического материала (3), содержащаятигель (2), имеющий дно (4) и боковые стенки (5);боковую теплоизоляционную систему (6), расположенную по периферии тигля (2) вокруг боковых стенок (5);устройство для нагревания электромагнитной индукцией,отличающаяся тем, что боковая теплоизоляционная система (6) содержит по меньшей мере два смежных субэлемента, образующих кольцо, которое имеет вид...

Устройство для реактора послойного атомного осаждения

Загрузка...

Номер патента: 18887

Опубликовано: 29.11.2013

Авторы: Соининен Пекка, Яухиайнен Мика

МПК: C23C 16/455, C30B 25/14

Метки: устройство, послойного, атомного, осаждения, реактора

Формула / Реферат:

1. Устройство для реактора послойного атомного осаждения, включающего реакционную камеру, средний элемент, два реверсивных элемента, патрубки для подачи реакционного газа и его отвода и патрубки для подачи барьерного газа, при этом патрубки для подачи и отвода реакционного газа и подачи барьерного газа содержат средний элемент (3), имеющий множество параллельных каналов (4 и 6), проходящих через этот элемент, и первый и второй реверсивные...

Способ и устройство для получения монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 17453

Опубликовано: 28.12.2012

Авторы: Ларсен Теис Лет, Петерсен Ян Эювинг, Йенсен Леиф, Нильсен Анна, Вобенгор Пер

МПК: C30B 13/26, C30B 13/32, C30B 29/06...

Метки: устройство, монокристалла, получения, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения монокристалла, включающий стадии, на которыхподают поликристаллический стержень в область нагревания для образования зоны плавления,прикладывают магнитное поле к зоне плавления, причем магнитное поле создают пропусканием постоянного электрического тока через соленоидную катушку, при этом магнитное поле ориентируют, по существу, аксиально относительно поликристаллического стержня посредством размещения соленоидной катушки...

Способ и устройство очистки низкокачественного кремнийсодержащего материала

Загрузка...

Номер патента: 15387

Опубликовано: 31.08.2011

Авторы: Леблан Доминик, Буасвер Рене

МПК: C01B 33/02, C01B 33/037, C01B 33/12...

Метки: низкокачественного, кремнийсодержащего, устройство, способ, материала, очистки

Формула / Реферат:

1. Способ очистки кремнийсодержащего материала низкой чистоты, в котором в плавильном устройстве, оборудованном кислородной горелкой, плавят кремнийсодержащий материал низкой чистоты для получения расплава кремнийсодержащего материала более высокой чистоты.2. Способ по п.1, в котором плавильное устройство включает в себя барабанную печь.3. Способ по п.1, в котором указанную плавку кремнийсодержащего материала низкой чистоты в плавильном...

Устройство для реактора послойного атомного осаждения

Загрузка...

Номер патента: 15231

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Соининен Пекка, Снек Сами

МПК: C23C 16/00, C23C 16/455, C23C 16/458...

Метки: послойного, устройство, реактора, атомного, осаждения

Формула / Реферат:

1. Реактор послойного атомного осаждения, содержащий вакуумную камеру (2) и реакционную камеру (4), расположенную внутри вакуумной камеры (2), где реакционная камера (4) снабжена открываемой стенкой (24), загрузочное отверстие (12), образованное в боковой стенке/корпусе (22) или в торцевой стенке (6, 20) вакуумной камеры (2), загрузочное устройство, сообщающееся с загрузочным отверстием, установленное в первой или второй торцевой стенке (6, 20)...

Способ непрерывного получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем

Загрузка...

Номер патента: 15219

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Чой Вон Чоон, Ким Хее Йоунг, Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06

Метки: получения, непрерывного, реактора, поликристаллического, псевдоожиженным, способ, слоем, кремния, использованием

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, в котором средства подачи реакционного газа для обеспечения кремнийсодержащего реакционного газа расположены внутри трубы реактора так, что выпускное отверстие реакционного газа из средства подачи реакционного газа расположено внутри слоя из частиц кремния, при этом верхнее пространство выше выпускного отверстия реакционного газа определяется как...

Способ и установка для получения гранулированного поликремния

Загрузка...

Номер патента: 14621

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Ким Хее Янг, Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо, Чой Вон Чоон

МПК: C30B 29/06, C30B 25/00

Метки: способ, поликремния, получения, установка, гранулированного

Формула / Реферат:

1. Установка для получения гранулированного поликремния, содержащаяреакторную трубу, внутреннее пространство которой содержит зону нагревания и реакционную зону, расположенную выше зоны нагревания;корпус реактора, окружающий реакторную трубу;устройство подачи псевдоожижающего газа для ввода псевдоожижающего газа в зону нагревания через выпуск псевдоожижающего газа устройства распределения газа, расположенного внизу зоны нагревания;устройство...

Установка и способ изготовления стержней из высокочистого кремния с использованием смешанного сердечникового средства

Загрузка...

Номер патента: 13675

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Чой Вон Чоон, Ким Хее Янг, Со Вон Воок, Йоон Киунг Коо, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 29/06, C30B 25/18

Метки: средства, использованием, способ, установка, кремния, сердечникового, изготовления, стержней, смешанного, высокочистого

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления стержня из поликристаллического кремния с использованием смешанного средства сердечника, содержащий:(a) размещение первого средства сердечника, изготовленного из резистивного материала, вместе со вторым средством сердечника, изготовленным из кремниевого материала, во внутреннем пространстве реактора осаждения;(b) электрическое нагревание первого средства сердечника и предварительное нагревание второго средства сердечника...

Реактор для послойного атомного осаждения

Загрузка...

Номер патента: 12961

Опубликовано: 26.02.2010

Авторы: Кето Лейф, Соининен Пекка

МПК: C23C 16/00, C23C 16/455, C23C 16/44...

Метки: реактор, осаждения, послойного, атомного

Формула / Реферат:

1. Реакционная камера реактора послойного атомного осаждения, содержащая нижнюю стенку, верхнюю стенку и боковые стенки, проходящие между верхней стенкой и нижней стенкой и определяющие контур реакционной камеры с образованием внутренней части (28) реакционной камеры, причем реактор содержит также одно или несколько впускных отверстий (30) для подачи газа в реакционную камеру и одно или несколько выпускных отверстий (40) для отвода поданного в...

Способ получения si путем восстановления sicl4 жидким zn

Загрузка...

Номер патента: 12213

Опубликовано: 28.08.2009

Авторы: Робер Эрик, Зейлема Тьякко

МПК: C30B 15/00, C01B 33/037, C01B 33/033...

Метки: путем, жидким, получения, sicl4, восстановления, способ

Формула / Реферат:

1. Способ превращения SiCl4 в металлический Si, включающий стадии введения газообразного SiCl4 в контакт с жидкой металлической фазой, содержащей Zn, с получением таким образом металлической фазы, содержащей Si, и хлорида Zn; отделения хлорида Zn от металлической фазы, содержащей Si, и очистки металлической фазы, содержащей Si, при температуре, превышающей температуру кипения Zn, с испарением таким образом Zn и получением металлического Si,...

Способ и устройство для очистки расплавленного материала

Загрузка...

Номер патента: 11381

Опубликовано: 27.02.2009

Автор: Фрьестад Кеннет

МПК: C30B 35/00, C30B 15/10, C30B 29/06...

Метки: устройство, расплавленного, материала, способ, очистки

Формула / Реферат:

1. Способ рафинирования материала, который включает стадии образования расплава материала в емкости; приведения температурно-регулируемой контактной поверхности элемента в контакт с поверхностью расплава, при этом указанная температурно-регулируемая контактная поверхность не контактирует со стенками емкости и поддерживаются условия для кристаллизации расплавленного материала и его удерживания на температурно-регулируемой контактной поверхности;...

Способ получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 9887

Опубликовано: 28.04.2008

Автор: Каресев Игорь Юрьевич

МПК: C01B 33/03, C30B 29/06, C01B 33/107...

Метки: способ, получения, кремния, поликристаллического

Формула / Реферат:

Способ получения поликристаллического кремния, включающий водородное восстановление кремния, отличающийся тем, что получение кремния осуществляют путем хлорирования в солевом расплаве техногенных отходов, содержащих редкоземельные металлы, с выходом газовой фазы тетрахлорсилана, с последующей его очисткой и восстановлением в среде ионизированного водорода в плазмохимическом реакторе, при этом расплавленной средой служит электролит, содержащий...

Кремниевое исходное сырьё для солнечных элементов

Загрузка...

Номер патента: 9791

Опубликовано: 28.04.2008

Авторы: Фрьестад Кеннет, Захеди Кирус, Энебакк Эрик, Детлофф Кристиан, Тронстад Рагнар

МПК: C03B 13/00, C01B 33/00, C01B 33/037...

Метки: солнечных, элементов, исходное, кремниевое, сырьё

Формула / Реферат:

1. Кремниевое исходное сырье для производства получаемых направленной кристаллизацией Чохральского, зонной плавкой поликристаллических слитков, тонких листов или лент кремния для изготовления кремниевых пластин для ФЭ солнечных элементов, отличающееся тем, что оно содержит от 0,3 до 5,0 амд бора и от 0,5 до 3,5 амд фосфора, менее 50 амд элементов-металлов и менее 100 амд углерода. 2. Кремний для изготовления пластин солнечных элементов,...

Сцинтилляционное вещество (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 9436

Опубликовано: 28.12.2007

Авторы: Кутовой Сергей Александрович, Загуменный Александр Иосифович, Заварцев Юрий Дмитриевич

МПК: C09K 11/08, C09K 11/77, C04B 35/16...

Метки: варианты, вещество, сцинтилляционное

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционное вещество на основе кристалла силиката, содержащего лютеций Lu и церий Се, отличающееся тем, что состав вещества выражается химической формулой CexLu2+2y-xSi1-yO5+y где х - от 1_10-4 до 0,02 ф.ед.; у - от 0,024 до 0,09 ф.ед. 2. Сцинтилляционное вещество по п.1, отличающееся тем, что состав вещества в виде монокристалла выражается химической формулой CexLu2,076-xSi0,962О5,038 где х - от 1_10-4 до 0,02 ф.ед. 3. Способ получения...

Способ получения алмазов фантазийного красного цвета

Загрузка...

Номер патента: 9435

Опубликовано: 28.12.2007

Автор: Винс Виктор Генрихович

МПК: C01B 31/06, C30B 29/04, C30B 33/00...

Метки: фантазийного, получения, способ, цвета, красного, алмазов

Формула / Реферат:

Способ получения алмазов фантазийного красного цвета с устойчивыми N-V центрами окраски, поглощающими в диапазоне длин волн 400-640 нм, включающий стадию облучения потоком электронов и стадию отжига при температуре не менее 1100шС в вакууме, отличающийся тем, что используют природный алмаз типа Ia, в кристаллической решетке которого формируют перед стадией облучения потоком электронов изолированные атомы азота в позиции замещения - дефекты С -...

Получение блоков галогенидов редкоземельных металлов

Загрузка...

Номер патента: 9230

Опубликовано: 28.12.2007

Автор: Ильти Ален

МПК: C09K 11/77, C01F 17/00, C30B 11/00...

Метки: галогенидов, блоков, редкоземельных, металлов, получение

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического блока по меньшей мере 10 г галогенида формулы AeLnfX(3f+e), в которой Ln означает один или более редкоземельных металлов, X означает один или более атомов галогена, выбранных из Cl, Br или I, А означает один или более щелочных металлов, таких как K, Li, Na, Rb или Cs, e означает число, которое может быть равно 0, быть меньше или равно 3f, и f означает число, которое больше или равно 1, где упомянутый блок...

Материал-сцинтиллятор на основе редкоземельных элементов с пониженным радиоактивным фоновым шумом

Загрузка...

Номер патента: 9229

Опубликовано: 28.12.2007

Автор: Ильти Ален

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, G01T 1/202...

Метки: фоновым, радиоактивным, элементов, пониженным, основе, материал-сцинтиллятор, шумом, редкоземельных

Формула / Реферат:

1. Неорганический материал-сцинтиллятор формулы AnLnpX(3p+n), в которой Ln представляет собой один или более редкоземельных элементов, X представляет собой один или более атомов галогена, выбранных из F, Cl, Br или I, и А представляет собой один или более щелочных металлов, таких как K, Li, Na, Rb или Cs, n и p представляют собой такие величины, что n, которое может быть равно 0, меньше или равно 2р, и что p больше или равно 1, отличающийся тем,...

Способ формирования монокристаллической структуры и кремниевый материал, стойкий к воздействию н и он

Загрузка...

Номер патента: 8276

Опубликовано: 27.04.2007

Автор: Кьюратоло Сузанна

МПК: C30B 1/00, C30B 1/12

Метки: кремниевый, материал, воздействию, способ, монокристаллической, структуры, формирования, стойкий

Формула / Реферат:

1. Способ формирования монокристаллической структуры соединения на основе кремния со структурой SiO2Tex , где величина "х" находится в интервале от 1/3 до 1/5, включающий введение компонентов соединения на основе кремния в тигель, по существу, сферической формы, герметизацию тигля в сферической оболочке, нагрев соединения в печи при температуре от 700 до 1000шС и в течение промежутка времени от 3,5 до 7 ч с образованием из соединения...

Устройство для вытягивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 7574

Опубликовано: 29.12.2006

Автор: Костин Владимир Владимирович

МПК: C30B 15/14

Метки: монокристаллов, вытягивания, устройство

Формула / Реферат:

1. Устройство для вытягивания монокристаллов, содержащее тигель с подставкой, нагреватель и по меньшей мере один теплоизолирующий экран, отличающееся тем, что нагреватель выполнен из исходного гибкого углеродсодержащего материала в виде полого цилиндра, торцы которого закреплены между коаксиально расположенными жесткими кольцами из углеродного материала, подсоединенными к источнику тока, причем нагреватель выполнен с толщиной стенки,...

Поликристаллический материал, способ его получения и изделие из этого материала

Загрузка...

Номер патента: 3570

Опубликовано: 26.06.2003

Автор: Александров Владимир Ильич

МПК: C30B 28/06, A61B 17/32

Метки: получения, поликристаллический, способ, изделие, материала, материал, этого

Формула / Реферат:

1. Поликристаллический материал, состоящий из кристаллитов частично стабилизированного диоксида циркония, отличающийся тем, что кристаллиты имеют игольчатую или пластинчатую форму длиной не более 0,05 мм с отношением длины к максимальному поперечному сечению не менее 2:1, расположены параллельно своим длинным осям и образуют прямоугольную решетку. 2. Материал по п.1, отличающийся тем, что в качестве стабилизирующего оксида он содержит оксид...

Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира по н. блецкану

Загрузка...

Номер патента: 3419

Опубликовано: 24.04.2003

Автор: Блецкан Николай Иванович

МПК: C30B 29/20, C30B 17/00

Метки: способ, монокристаллов, сапфира, устройство, блецкану, выращивания

Формула / Реферат:

1.Способ выращивания монокристаллов сапфира, включающий получение расплава исходного материала в тигле, введение в контакт с расплавом затравочного кристалла сапфира, управление скоростью подъема последнего и регулирование температурного поля расплава, отличающийся тем, что выращивание осуществляют в объеме призмы, соосной затравочному кристаллу, причем грани призмы параллельны кристаллографическим граням последнего. 2. Способ по п.1,...

Монокристаллический ювелирный материал и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 27

Опубликовано: 26.02.1998

Авторы: Бакунов Олег Валерьевич, Лингарт Юрий Карлович

МПК: C30B 11/04, C30B 29/16

Метки: монокристаллический, способ, материал, получения, ювелирный

Формула / Реферат:

1. Монокристаллический ювелирный материал, содержащий диоксид циркония или гафния, стабилизирующий оксид металла из ряда кальций, магний, иттрий, и окрашивающую добавку, отличающийся тем, что в качестве окрашивающей добавки он содержит металлическую медь при следующем соотношении компонентов, мас. %: Оксид кальция, магния или иттрия 16-30 Металлическая медь 0,1-0,5 Оксид циркония или ...