Патенты с меткой «кремния»

Способ получения карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 24358

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Ди Пьерро Симонпьетро, Шварц Мэттью, Алеонар Брюно

МПК: C01B 31/36

Метки: кремния, получения, карбида, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения SiC, включающий восстановление оксида кремния углеродом путем нагрева смеси исходных материалов, состоящих из источника углерода, выбранного из коксов, и источника кремния с чистотой по SiO2 выше 95%, электрическим сопротивлением, находящимся в центре этой смеси, который осуществляют при температуре выше 1500°C согласно реакциипричем указанный способ отличается тем, что указанный источник углерода предварительно обрабатывают...

Наночастицы диоксида кремния и их применение для вакцинации

Загрузка...

Номер патента: 23047

Опубликовано: 29.04.2016

Авторы: Кюбельбекк Армин, Ларбиг Грегор, Вайгандт Маркус, Ханефельд Андреа

МПК: A61K 9/16

Метки: диоксида, кремния, применение, вакцинации, наночастицы

Формула / Реферат:

1. Наночастицы для парентерального применения, содержащие матрицу, состоящую из более чем 50% диоксида кремния, где частицы имеют размер в диапазоне от 5 до 50 нм, и по крайней мере один расщепляемый линкер в качестве поверхностной функциональной группы, к которой ковалентно присоединен по крайней мере один антиген.2. Наночастицы по п.1, отличающиеся тем, что расщепляемый линкер представляет собой связь, чувствительную к рН, ферментативный...

Применение частиц носителя диоксида кремния для улучшения технологических характеристик фармацевтического агента

Загрузка...

Номер патента: 22950

Опубликовано: 31.03.2016

Авторы: Матиас Анита А., Йу Ричард, Кирни Брайан П., Олияй Реза, Козиара Джоанна М., Меннинг Марк М., Стрикли Роберт Г.

МПК: A61K 9/20

Метки: характеристик, фармацевтического, агента, носителя, применение, технологических, кремния, диоксида, улучшения, частиц

Формула / Реферат:

1. Фармацевтическая композиция, содержащая множество частиц диоксида кремния, имеющих одну или более пор, и соединение формулы (I)или его фармацевтически приемлемую соль, нанесенные на частицы диоксида кремния, причем гигроскопичность частиц диоксида кремния и соединения формулы (I) выше, чем гигроскопичность смеси соединения/частиц диоксида кремния.2. Фармацевтическая композиция по п.1, отличающаяся тем, что прессуемость композиции выше, чем...

Способ получения комплексного борсодержащего сплава на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 20687

Опубликовано: 30.01.2015

Авторы: Заякин Олег Вадимович, Селиванов Евгений Николаевич, Афанасьев Владимир Игоревич, Ким Александр Сергеевич, Жучков Владимир Иванович, Сычев Александр Владимирович, Акбердин Александр Абдуллович, Фадеев Виктор Геннадьевич, Островский Яков Исаакович, Веселовский Игорь Анатольевич

МПК: C22C 33/04

Метки: комплексного, борсодержащего, основе, кремния, сплава, получения, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения комплексного борсодержащего сплава на основе кремния, включающий загрузку и проплавление шихты в электропечи, периодический выпуск расплава в ковш, введение борсодержащего материала на струю расплава при разливке из печи в ковш, отличающийся тем, что в качестве борсодержащего материала на струю расплава ферросилиция подают плавленую боратовую руду из расчета 45-92 кг B2O3 на 1 т ферросилиция, для чего соотношение компонентов...

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава

Загрузка...

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Карамурзов Барасби Сулейманович, Кармоков Ахмет Мацевич

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06, C30B 30/06...

Метки: способ, расплава, выращивания, кремния, монокристаллов

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...

Способ получения нанопорошка аморфного диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 19657

Опубликовано: 30.05.2014

Автор: Власов Олег Анатольевич

МПК: C01B 33/18, B82Y 30/00

Метки: диоксида, получения, нанопорошка, кремния, аморфного, способ

Формула / Реферат:

Способ получения нанопорошка аморфного диоксида кремния, включающий испарение и осаждение нанопорошка, отличающийся тем, что через реакционный объем, содержащий измельченный диоксид кремния, продувают пары воды, предварительно прошедшие через углеродистый восстановитель, процесс ведут при температуре 1150-1250°С, а продукты реакции выводят через верхнюю часть реакционного объема.

Система для гидрирования тетрагалогенида кремния и кремния в тригалогенсилан

Загрузка...

Номер патента: 19654

Опубликовано: 30.05.2014

Автор: Лорд Стефен М.

МПК: C01B 33/04, C01B 33/107

Метки: тетрагалогенида, кремния, система, гидрирования, тригалогенсилан

Формула / Реферат:

1. Система для гидрирования тетрагалогенида кремния и кремния в тригалогенсилан, включающая в себя емкость высокого давления без внутренних распределителей потока для вмещения множества частиц металлургического кремния, имеющую одно или более отверстий для входа газа, одно или более отверстий для входа твердых веществ, одно или более спускных отверстий для твердых веществ и один или более выходов для смесей газ/твердые вещества, причем система...

Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17480

Опубликовано: 28.12.2012

Авторы: Леблан Доминик, Буасвер Рене

МПК: C01B 33/037

Метки: кремния, металлургического, получения, средней, высокой, способ, чистоты

Формула / Реферат:

1. Способ получения особо чистого твердого поликристаллического кремния из металлургического кремния низкой чистоты, содержащего по меньшей мере одну из следующих загрязняющих примесей Al, As, Ba, Bi, Ca, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ti, V, Zn, Zr и В, причем указанный способ включает этапы, на которых:(a) выдерживают расплав металлургического кремния низкой чистоты в форме, причем указанная форма имеет...

Огнеупорное изделие с высоким содержанием диоксида циркония и диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 17354

Опубликовано: 30.11.2012

Авторы: Гобиль Мишель, Кабоди Изабель

МПК: C04B 35/484

Метки: диоксида, кремния, высоким, огнеупорное, изделие, содержанием, циркония

Формула / Реферат:

1. Плавленое литое огнеупорное изделие с высоким содержанием диоксида циркония, содержащее в мас.% на основе оксидовприсадку, выбранную из группы, образованной V2O5, CrO3, Nb2O5, МоО3, Та2О5, WO3 и их смесями, где их массовое содержание таково, что 2,43V2O5 + 4,42CrO3 + 1,66Nb2O5 + 3,07МоО3 + Та2О5 + 1,91WO3 более или равно 0,2%, причем общая сумма вышеуказанных оксидов составляет более чем 98,5%.2. Огнеупорное изделие по п.1, где указанное...

Способ и реактор для получения высокочистого кремния

Загрузка...

Номер патента: 15760

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Розенкильд Кристиан

МПК: C01B 33/033

Метки: высокочистого, способ, получения, реактор, кремния

Формула / Реферат:

1. Способ периодического или непрерывного получения высокочистого металлического кремния (Si) в результате восстановления тетрахлорида кремния (SiCl4) металлическим цинком (Zn) в жидком состоянии в реакторе (5), отличающийся тем, что восстановление цинком (Zn) SiCl4 проводят в реакторе (5), содержащем помимо Si и Zn расплав соли, в котором способен растворяться ZnCl2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что SiCl4 подают непрерывным или...

Способ получения поликристаллического кремния из раствора кремнефтористо-водородной кислоты и установка для получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 15477

Опубликовано: 31.08.2011

Авторы: Чуканов Андрей Павлович, Манчулянцев Олег Александрович, Вахрушин Александр Юрьевич, Сметанкина Стелла Валерьевна, Шевченко Руслан Алексеевич

МПК: C01B 33/033

Метки: установка, раствора, кремнефтористо-водородной, кремния, получения, поликристаллического, кислоты, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния из раствора кремнефтористо-водородной кислоты, характеризующийся тем, чтополучают органорастворимую соль кремнефтористо-водородной кислоты из раствора кремнефтористо-водородной кислоты путем взаимодействия кремнефтористо-водородной кислоты с органическим основанием;полученную соль кремнефтористо-водородной кислоты сушат воздухом или инертным газом при температуре 55-60°С;получают газообразный...

Способ непрерывного получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем

Загрузка...

Номер патента: 15219

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Ким Хее Йоунг, Чой Вон Чоон, Йоон Киунг Коо, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 29/06, C30B 25/00

Метки: реактора, слоем, способ, получения, псевдоожиженным, кремния, поликристаллического, непрерывного, использованием

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, в котором средства подачи реакционного газа для обеспечения кремнийсодержащего реакционного газа расположены внутри трубы реактора так, что выпускное отверстие реакционного газа из средства подачи реакционного газа расположено внутри слоя из частиц кремния, при этом верхнее пространство выше выпускного отверстия реакционного газа определяется как...

Установка и способ изготовления стержней из высокочистого кремния с использованием смешанного сердечникового средства

Загрузка...

Номер патента: 13675

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо, Ким Хее Янг, Чой Вон Чоон, Со Вон Воок

МПК: C30B 29/06, C30B 25/18

Метки: использованием, способ, смешанного, кремния, установка, сердечникового, средства, стержней, высокочистого, изготовления

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления стержня из поликристаллического кремния с использованием смешанного средства сердечника, содержащий:(a) размещение первого средства сердечника, изготовленного из резистивного материала, вместе со вторым средством сердечника, изготовленным из кремниевого материала, во внутреннем пространстве реактора осаждения;(b) электрическое нагревание первого средства сердечника и предварительное нагревание второго средства сердечника...

Способ получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11971

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Иванов Леонард Степанович, Симонова Татьяна Владимировна, Митин Владимир Васильевич, Елютин Александр Вячеславович, Пекелис Владимир Абович, Назаров Юрий Николаевич, Ровенский Даниил Яковлевич, Пархоменко Юрий Николаевич, Джус Николай Ильич, Кох Александр Аркадьевич, Кожемякин Владимир Алексеевич, Петрова Ирина Юрьевна, Аркадьев Андрей Анатольевич, Чапыгин Анатолий Михайлович, Левин Владимир Григорьевич

МПК: C01B 33/027, C01B 33/03

Метки: кремния, способ, поликристаллического, получения

Формула / Реферат:

1. Способ производства поликристаллического кремния, включающий получение трихлорсилана гидрохлорированием в реакторе кипящего слоя измельченного технического кремния с использованием хлористого водорода, полученного взаимодействием газообразных водорода, оборотного водорода и хлора, с образованием первой отходящей парогазовой смеси, содержащей трихлорсилан, тетрахлорид кремния, водород и хлористый водород; "сухую" пылеочистку первой отходящей...

Способ получения осажденной двуокиси кремния из оливина

Загрузка...

Номер патента: 10899

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Валлевик Оддмунд, Гуннарсон Гудмундур, Энгсет Пер Бьёрн, Экорнрёд Ларс Эйвинд, Лангсет Биргер

МПК: C09C 1/30, C01B 33/187

Метки: получения, кремния, оливина, двуокиси, осажденной, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения осажденной двуокиси кремния из оливина, отличающийся следующими стадиями: получение частиц оливина с размером частиц менее 1 мм в диаметре; смешивание оливина с водой для образования взвеси оливин/вода; смешивание взвеси оливин/вода с соляной кислотой при температуре между 50-130шС и проведение реакции; удаление крупных минеральных загрязнений; отделение осажденной двуокиси кремния из маточного раствора; механическая...

Способ получения чистого кремния

Загрузка...

Номер патента: 9888

Опубликовано: 28.04.2008

Авторы: Тамендаров Марат Фатыхович, Бектурганов Нуралы Султанович, Кулекеев Жаксыбек Абрахметович, Мукашев Булат Нигметулы, Бекетов Борис Анатольевич, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич

МПК: C01B 33/023

Метки: способ, кремния, чистого, получения

Формула / Реферат:

1. Способ получения кремния путем восстановления алюминием диоксида кремния в фосфорном шлаке при температуре 1420-1600шC при содержании алюминия в шихте в молярном отношении к количеству диоксида кремния в шлаке 4:3, отличающийся тем, что загрузку шихты ведут отдельными партиями на расплав кремния, образовавшегося при загрузке предыдущей партии; кремний сливают в графитовую изложницу и медленно охлаждают для получения зернистой структуры с...

Способ получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 9887

Опубликовано: 28.04.2008

Автор: Каресев Игорь Юрьевич

МПК: C01B 33/03, C01B 33/107, C30B 29/06...

Метки: кремния, поликристаллического, получения, способ

Формула / Реферат:

Способ получения поликристаллического кремния, включающий водородное восстановление кремния, отличающийся тем, что получение кремния осуществляют путем хлорирования в солевом расплаве техногенных отходов, содержащих редкоземельные металлы, с выходом газовой фазы тетрахлорсилана, с последующей его очисткой и восстановлением в среде ионизированного водорода в плазмохимическом реакторе, при этом расплавленной средой служит электролит, содержащий...

Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 9303

Опубликовано: 28.12.2007

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Левчук Николай Евгеньевич, Марышев Сергей Павлович, Хисамов Айрат Хамитович, Хохлов Александр Евгеньевич

МПК: H01L 21/203, C23C 14/46

Метки: пленок, нитрида, способ, кремния, вакууме, нанесения, варианты

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме на неподвижно установленную подложку, при котором в вакуумную камеру подают смесь рабочих газов: азота и аргона, формируют ионный пучок по крайней мере из одного источника ионов, мишень из кремния распыляют направленным ионным пучком, а распыленный материал осаждают на подложку послойно путем сканирования ее поверхности, при этом источник ионов вместе с мишенью перемещают...

Способ получения трихлорсилана и кремния, используемого для получения трихлорсилана

Загрузка...

Номер патента: 9060

Опубликовано: 26.10.2007

Авторы: Реэ Торбьерн, Эйе Харальд Арнльот, Хоэль Ян-Отто, Ронг Харри Мортен

МПК: C01B 33/107

Метки: используемого, кремния, получения, способ, трихлорсилана

Формула / Реферат:

1. Способ получения трихлорсилана взаимодействием кремния с газообразным HCl при температуре от 250 до 1100шС и абсолютном давлении 0,5-30 атм в реакторе с псевдоожиженным слоем, в реакторе с движущимся слоем или в реакторе с неподвижным слоем, отличающийся тем, что подаваемый в реактор кремний содержит от 30 до 10 000 промиль хрома. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подаваемый в реактор кремний содержит от 50 до 1000 промиль хрома. 3....

Суспензия диоксида кремния и способ получения указанной суспензии

Загрузка...

Номер патента: 8739

Опубликовано: 31.08.2007

Авторы: Дингсейр Эльдар О., Олдензил Кор, Достель Магне, Вассей Бьерн

МПК: C04B 22/06, C04B 24/38

Метки: суспензии, получения, кремния, указанной, диоксида, способ, суспензия

Формула / Реферат:

1. Суспензия, содержащая воду, частицы аморфного диоксида кремния с размером частиц менее 1 мкм и кварцевую муку с размером частиц от 2 до 200 мкм, отличающаяся тем, что она содержит полисахарид в качестве стабилизатора в количестве от 0,01 до 3 г полисахарида на литр суспензии. 2. Суспензия по п.1, отличающаяся тем, что полисахаридом является производное целлюлозы, выбранное из ксантана, карбоксиметилцеллюлозы, гидроксиметилцеллюлозы,...

Электронагревательный элемент, выполненный из карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 5792

Опубликовано: 30.06.2005

Автор: Битсон Джон Джордж

МПК: H05B 3/14

Метки: выполненный, элемент, кремния, карбида, электронагревательный

Формула / Реферат:

1. Керамический электронагревательный резистивный элемент, содержащий по меньшей мере один керамический отрезок с высоким удельным сопротивлением и по меньшей мере два керамических отрезка, каждый из которых имеет участок с высоким удельным сопротивлением и участок с низким удельным сопротивлением, при этом участки отрезков с низким удельным сопротивлением снабжены выводами для подключения к источнику питания, а смежные с ними участки с высоким...

Осажденные частицы диоксида кремния для кошачьего туалета

Загрузка...

Номер патента: 5781

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Хулсхоф Виллем Таде, Леливелд Николас Х.М., Кольтцер Юрген, Доктер Виллем Хендрик

МПК: C01B 33/193, A01K 1/015

Метки: частицы, туалета, диоксида, кремния, кошачьего, осажденные

Формула / Реферат:

1. Осажденные частицы диоксида кремния, имеющие поверхности с гранями и отношение длина : ширина : глубина 1:1:1 - 3:3-1:1, причем длина частиц составляет 0,25-15 мм; поглощающую способность PV для воды (мас.%) >125, объем пор PV Hg (мл/г) 0,8-4, объем пор PV N2 (мл/г) 0,2-1,5, насыпную плотность BD (г/л) 200-500. 2. Осажденные частицы диоксида кремния по п.1, где pH составляет 8 или менее, предпочтительно 6 или менее. 3. Осажденные частицы...

Способ осаждения оксида кремния в процессе выщелачивания цинковой руды

Загрузка...

Номер патента: 5523

Опубликовано: 28.04.2005

Авторы: Пеккала Пертти, Фуглеберг Сигмунд, Риеккола-Ванханен Марья, Талонен Пану

МПК: C22B 3/08

Метки: процессе, выщелачивания, цинковой, кремния, оксида, способ, осаждения, руды

Формула / Реферат:

1. Способ выщелачивания цинксодержащего кремнистого сырья для извлечения цинка, отличающийся тем, что кремнистый материал направляют на кислотное выщелачивание (6), происходящее в сульфокислотном растворе (7), в котором наибольшее содержание кислоты и, следовательно, наиболее низкое значение pH имеют место в начале выщелачивания, в результате чего силикаты в сырье разлагаются и растворяются, выпадая в осадок в виде диоксида кремния, причем...

Аморфные частицы диоксида кремния, содержащие бор

Загрузка...

Номер патента: 5493

Опубликовано: 24.02.2005

Авторы: Доктер Виллем Хендрик, Кюнкелер Паулус Йоханнес

МПК: C08K 3/36, C09C 1/30, C01B 33/18...

Метки: диоксида, кремния, содержащие, частицы, бор, аморфные

Формула / Реферат:

1. Аморфная частица диоксида кремния, содержащая от 0,00001 до 12,5 мас.% атомов бора, отличающаяся тем, что атомы бора ковалентно связаны с атомами кислорода в структуре диоксида кремния. 2. Аморфная частица диоксида кремния по п.1, отличающаяся тем, что содержит от 0,001 до 10 мас.% атомов бора. 3. Аморфная частица диоксида кремния по п.1 или 2, отличающаяся тем, что дополнительно содержит от 0,05 до 15 мас.% атомов алюминия, которые...

Фармацевтический препарат, содержащий клодронат в качестве активного ингредиента и агрегат микрокристаллической целлюлозы и диоксида кремния в качестве наполнителя

Загрузка...

Номер патента: 2331

Опубликовано: 25.04.2002

Авторы: Рантала Пертти Тапани, Лехтола Вели-Матти, Рантала Эва-Мария Сусанне

МПК: A61K 9/20

Метки: препарат, микрокристаллической, наполнителя, ингредиента, кремния, содержащий, целлюлозы, качестве, агрегат, диоксида, активного, клодронат, фармацевтический

Формула / Реферат:

1. Фармацевтический препарат для перорального введения, включающий фармакологически приемлемую соль дихлорметиленбисфосфоновой кислоты и агрегат микрокристаллической целлюлозы и диоксида кремния, взятого в количестве примерно 0,1-20% от массы микрокристаллической целлюлозы. 2. Препарат по п.1, отличающийся тем, что он включает 5-25 мас.% агрегата микрокристаллической целлюлозы и диоксида кремния. 3. Препарат по п.1, отличающийся тем, что он...

Способ производства гранул цеолита х с низким содержанием двуокиси кремния с низким содержанием инертного связующего

Загрузка...

Номер патента: 1175

Опубликовано: 30.10.2000

Автор: Пле Доминик

МПК: C01B 39/22

Метки: содержанием, кремния, инертного, цеолита, гранул, двуокиси, способ, производства, связующего, низким

Формула / Реферат:

1. Способ производства цеолитовых тел, состоящих, по меньшей мере, на 95% из цеолита Х с низким содержанием двуокиси кремния, включающий следующие стадии: (а) агломерацию порошка цеолита Х с низким содержанием двуокиси кремния с помощью связующего, содержащего, по меньшей мере, 80% глины, которая может быть превращена в цеолит, (б) формование смеси, полученной по пункту (а), (в) высушивание и последующую кальцинацию при температуре от 500 до...

Диоксид кремния, используемый в составах для ухода за зубами

Загрузка...

Номер патента: 508

Опубликовано: 28.10.1999

Авторы: Амиш Фредерик, Дромар Адриен

МПК: A61K 7/16, C01B 33/193

Метки: зубами, ухода, используемый, диоксид, составах, кремния

Формула / Реферат:

1. Абразивный осажденный диоксид кремния, имеющий: - удельную поверхность БЭТ порядка 15-300 м2/г, предпочтительно порядка 20-250 м2/г; - поглощение масла ДОФ порядка 40-160 мл/г, предпочтительно порядка 50-140 мл/г; - средний диаметр частиц, по меньшей мере, 10 мкм, обычно порядка 12-30 мкм; - коэффициент сцепления частиц, по меньшей мере, приблизительно 85% для среднего диаметра частиц порядка 12-20 мкм. 2. Диоксид кремния по п.1,...

Таблетки валацикловира, содержащие коллоидный диоксид кремния

Загрузка...

Номер патента: 276

Опубликовано: 25.02.1999

Авторы: Тиллмен Ллойд Гэри, Картер Бэрри Хауард

МПК: A61K 9/20

Метки: таблетки, диоксид, кремния, валацикловира, коллоидный, содержащие

Формула / Реферат:

1. Таблетка, содержащая, по меньшей мере, приблизительно 50% (мас./мас.) валацикловира или его соли, наполнитель на основе целлюлозы, связьшающий агент, смазывающее вещество и приблизительно от 0,05 до приблизительно 3% (мас./мас.) коллоидного диоксида кремния, причем валацикловир или его соль присутствуют внутри гранул таблетки, смазывающее вещество, диоксид кремния и, по меньшей мере, часть наполнителя на основе целлюлозы присутствуют...