Патенты с меткой «кремния»

Способ получения карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 24358

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Алеонар Брюно, Шварц Мэттью, Ди Пьерро Симонпьетро

МПК: C01B 31/36

Метки: способ, получения, кремния, карбида

Формула / Реферат:

1. Способ получения SiC, включающий восстановление оксида кремния углеродом путем нагрева смеси исходных материалов, состоящих из источника углерода, выбранного из коксов, и источника кремния с чистотой по SiO2 выше 95%, электрическим сопротивлением, находящимся в центре этой смеси, который осуществляют при температуре выше 1500°C согласно реакциипричем указанный способ отличается тем, что указанный источник углерода предварительно обрабатывают...

Наночастицы диоксида кремния и их применение для вакцинации

Загрузка...

Номер патента: 23047

Опубликовано: 29.04.2016

Авторы: Вайгандт Маркус, Кюбельбекк Армин, Ханефельд Андреа, Ларбиг Грегор

МПК: A61K 9/16

Метки: вакцинации, наночастицы, кремния, применение, диоксида

Формула / Реферат:

1. Наночастицы для парентерального применения, содержащие матрицу, состоящую из более чем 50% диоксида кремния, где частицы имеют размер в диапазоне от 5 до 50 нм, и по крайней мере один расщепляемый линкер в качестве поверхностной функциональной группы, к которой ковалентно присоединен по крайней мере один антиген.2. Наночастицы по п.1, отличающиеся тем, что расщепляемый линкер представляет собой связь, чувствительную к рН, ферментативный...

Применение частиц носителя диоксида кремния для улучшения технологических характеристик фармацевтического агента

Загрузка...

Номер патента: 22950

Опубликовано: 31.03.2016

Авторы: Олияй Реза, Козиара Джоанна М., Стрикли Роберт Г., Йу Ричард, Матиас Анита А., Меннинг Марк М., Кирни Брайан П.

МПК: A61K 9/20

Метки: характеристик, применение, агента, частиц, фармацевтического, улучшения, диоксида, технологических, носителя, кремния

Формула / Реферат:

1. Фармацевтическая композиция, содержащая множество частиц диоксида кремния, имеющих одну или более пор, и соединение формулы (I)или его фармацевтически приемлемую соль, нанесенные на частицы диоксида кремния, причем гигроскопичность частиц диоксида кремния и соединения формулы (I) выше, чем гигроскопичность смеси соединения/частиц диоксида кремния.2. Фармацевтическая композиция по п.1, отличающаяся тем, что прессуемость композиции выше, чем...

Способ получения комплексного борсодержащего сплава на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 20687

Опубликовано: 30.01.2015

Авторы: Жучков Владимир Иванович, Ким Александр Сергеевич, Заякин Олег Вадимович, Сычев Александр Владимирович, Веселовский Игорь Анатольевич, Афанасьев Владимир Игоревич, Акбердин Александр Абдуллович, Селиванов Евгений Николаевич, Фадеев Виктор Геннадьевич, Островский Яков Исаакович

МПК: C22C 33/04

Метки: комплексного, основе, получения, борсодержащего, сплава, кремния, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения комплексного борсодержащего сплава на основе кремния, включающий загрузку и проплавление шихты в электропечи, периодический выпуск расплава в ковш, введение борсодержащего материала на струю расплава при разливке из печи в ковш, отличающийся тем, что в качестве борсодержащего материала на струю расплава ферросилиция подают плавленую боратовую руду из расчета 45-92 кг B2O3 на 1 т ферросилиция, для чего соотношение компонентов...

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава

Загрузка...

Номер патента: 20430

Опубликовано: 28.11.2014

Авторы: Кармоков Ахмет Мацевич, Карамурзов Барасби Сулейманович

МПК: C30B 29/06, C30B 30/06, C30B 15/00...

Метки: монокристаллов, выращивания, расплава, кремния, способ

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского, включающий вращение тигля со скоростью 0,2-2,0 об./мин и вращение кристалла ему навстречу со скоростью 0,2-20 об./мин со стрелой прогиба фронта кристаллизации в сторону затравки не более 0,2, отличающийся тем, что на межфазную границу кристалл-расплав воздействуют ультразвуком с частотой от 8 до 20 кГц, интенсивностью от 0,1 до 0,5 Вт/см2, причем воздействие...

Способ получения нанопорошка аморфного диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 19657

Опубликовано: 30.05.2014

Автор: Власов Олег Анатольевич

МПК: B82Y 30/00, C01B 33/18

Метки: нанопорошка, получения, аморфного, кремния, диоксида, способ

Формула / Реферат:

Способ получения нанопорошка аморфного диоксида кремния, включающий испарение и осаждение нанопорошка, отличающийся тем, что через реакционный объем, содержащий измельченный диоксид кремния, продувают пары воды, предварительно прошедшие через углеродистый восстановитель, процесс ведут при температуре 1150-1250°С, а продукты реакции выводят через верхнюю часть реакционного объема.

Система для гидрирования тетрагалогенида кремния и кремния в тригалогенсилан

Загрузка...

Номер патента: 19654

Опубликовано: 30.05.2014

Автор: Лорд Стефен М.

МПК: C01B 33/107, C01B 33/04

Метки: тетрагалогенида, система, гидрирования, тригалогенсилан, кремния

Формула / Реферат:

1. Система для гидрирования тетрагалогенида кремния и кремния в тригалогенсилан, включающая в себя емкость высокого давления без внутренних распределителей потока для вмещения множества частиц металлургического кремния, имеющую одно или более отверстий для входа газа, одно или более отверстий для входа твердых веществ, одно или более спускных отверстий для твердых веществ и один или более выходов для смесей газ/твердые вещества, причем система...

Способ получения кремния средней и высокой чистоты из металлургического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17480

Опубликовано: 28.12.2012

Авторы: Леблан Доминик, Буасвер Рене

МПК: C01B 33/037

Метки: средней, способ, чистоты, кремния, получения, металлургического, высокой

Формула / Реферат:

1. Способ получения особо чистого твердого поликристаллического кремния из металлургического кремния низкой чистоты, содержащего по меньшей мере одну из следующих загрязняющих примесей Al, As, Ba, Bi, Ca, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ti, V, Zn, Zr и В, причем указанный способ включает этапы, на которых:(a) выдерживают расплав металлургического кремния низкой чистоты в форме, причем указанная форма имеет...

Огнеупорное изделие с высоким содержанием диоксида циркония и диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 17354

Опубликовано: 30.11.2012

Авторы: Кабоди Изабель, Гобиль Мишель

МПК: C04B 35/484

Метки: высоким, кремния, содержанием, циркония, изделие, диоксида, огнеупорное

Формула / Реферат:

1. Плавленое литое огнеупорное изделие с высоким содержанием диоксида циркония, содержащее в мас.% на основе оксидовприсадку, выбранную из группы, образованной V2O5, CrO3, Nb2O5, МоО3, Та2О5, WO3 и их смесями, где их массовое содержание таково, что 2,43V2O5 + 4,42CrO3 + 1,66Nb2O5 + 3,07МоО3 + Та2О5 + 1,91WO3 более или равно 0,2%, причем общая сумма вышеуказанных оксидов составляет более чем 98,5%.2. Огнеупорное изделие по п.1, где указанное...

Способ и реактор для получения высокочистого кремния

Загрузка...

Номер патента: 15760

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Розенкильд Кристиан

МПК: C01B 33/033

Метки: высокочистого, способ, кремния, получения, реактор

Формула / Реферат:

1. Способ периодического или непрерывного получения высокочистого металлического кремния (Si) в результате восстановления тетрахлорида кремния (SiCl4) металлическим цинком (Zn) в жидком состоянии в реакторе (5), отличающийся тем, что восстановление цинком (Zn) SiCl4 проводят в реакторе (5), содержащем помимо Si и Zn расплав соли, в котором способен растворяться ZnCl2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что SiCl4 подают непрерывным или...

Способ получения поликристаллического кремния из раствора кремнефтористо-водородной кислоты и установка для получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 15477

Опубликовано: 31.08.2011

Авторы: Сметанкина Стелла Валерьевна, Шевченко Руслан Алексеевич, Манчулянцев Олег Александрович, Чуканов Андрей Павлович, Вахрушин Александр Юрьевич

МПК: C01B 33/033

Метки: получения, раствора, установка, кремния, поликристаллического, способ, кислоты, кремнефтористо-водородной

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния из раствора кремнефтористо-водородной кислоты, характеризующийся тем, чтополучают органорастворимую соль кремнефтористо-водородной кислоты из раствора кремнефтористо-водородной кислоты путем взаимодействия кремнефтористо-водородной кислоты с органическим основанием;полученную соль кремнефтористо-водородной кислоты сушат воздухом или инертным газом при температуре 55-60°С;получают газообразный...

Способ непрерывного получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем

Загрузка...

Номер патента: 15219

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Чой Вон Чоон, Йоон Киунг Коо, Ким Хее Йоунг, Парк Йонг Ки

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06

Метки: получения, псевдоожиженным, непрерывного, способ, поликристаллического, кремния, реактора, слоем, использованием

Формула / Реферат:

1. Способ получения поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, в котором средства подачи реакционного газа для обеспечения кремнийсодержащего реакционного газа расположены внутри трубы реактора так, что выпускное отверстие реакционного газа из средства подачи реакционного газа расположено внутри слоя из частиц кремния, при этом верхнее пространство выше выпускного отверстия реакционного газа определяется как...

Установка и способ изготовления стержней из высокочистого кремния с использованием смешанного сердечникового средства

Загрузка...

Номер патента: 13675

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Парк Йонг Ки, Йоон Киунг Коо, Чой Вон Чоон, Ким Хее Янг, Со Вон Воок

МПК: C30B 25/18, C30B 29/06

Метки: кремния, установка, средства, смешанного, изготовления, сердечникового, использованием, стержней, способ, высокочистого

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления стержня из поликристаллического кремния с использованием смешанного средства сердечника, содержащий:(a) размещение первого средства сердечника, изготовленного из резистивного материала, вместе со вторым средством сердечника, изготовленным из кремниевого материала, во внутреннем пространстве реактора осаждения;(b) электрическое нагревание первого средства сердечника и предварительное нагревание второго средства сердечника...

Способ получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11971

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Джус Николай Ильич, Ровенский Даниил Яковлевич, Елютин Александр Вячеславович, Кох Александр Аркадьевич, Назаров Юрий Николаевич, Иванов Леонард Степанович, Аркадьев Андрей Анатольевич, Симонова Татьяна Владимировна, Пархоменко Юрий Николаевич, Кожемякин Владимир Алексеевич, Чапыгин Анатолий Михайлович, Пекелис Владимир Абович, Петрова Ирина Юрьевна, Митин Владимир Васильевич, Левин Владимир Григорьевич

МПК: C01B 33/03, C01B 33/027

Метки: способ, поликристаллического, кремния, получения

Формула / Реферат:

1. Способ производства поликристаллического кремния, включающий получение трихлорсилана гидрохлорированием в реакторе кипящего слоя измельченного технического кремния с использованием хлористого водорода, полученного взаимодействием газообразных водорода, оборотного водорода и хлора, с образованием первой отходящей парогазовой смеси, содержащей трихлорсилан, тетрахлорид кремния, водород и хлористый водород; "сухую" пылеочистку первой отходящей...

Способ получения осажденной двуокиси кремния из оливина

Загрузка...

Номер патента: 10899

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Валлевик Оддмунд, Экорнрёд Ларс Эйвинд, Гуннарсон Гудмундур, Лангсет Биргер, Энгсет Пер Бьёрн

МПК: C01B 33/187, C09C 1/30

Метки: кремния, осажденной, оливина, способ, получения, двуокиси

Формула / Реферат:

1. Способ получения осажденной двуокиси кремния из оливина, отличающийся следующими стадиями: получение частиц оливина с размером частиц менее 1 мм в диаметре; смешивание оливина с водой для образования взвеси оливин/вода; смешивание взвеси оливин/вода с соляной кислотой при температуре между 50-130шС и проведение реакции; удаление крупных минеральных загрязнений; отделение осажденной двуокиси кремния из маточного раствора; механическая...

Способ получения чистого кремния

Загрузка...

Номер патента: 9888

Опубликовано: 28.04.2008

Авторы: Мукашев Булат Нигметулы, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Бекетов Борис Анатольевич, Кулекеев Жаксыбек Абрахметович, Бектурганов Нуралы Султанович

МПК: C01B 33/023

Метки: кремния, способ, чистого, получения

Формула / Реферат:

1. Способ получения кремния путем восстановления алюминием диоксида кремния в фосфорном шлаке при температуре 1420-1600шC при содержании алюминия в шихте в молярном отношении к количеству диоксида кремния в шлаке 4:3, отличающийся тем, что загрузку шихты ведут отдельными партиями на расплав кремния, образовавшегося при загрузке предыдущей партии; кремний сливают в графитовую изложницу и медленно охлаждают для получения зернистой структуры с...

Способ получения поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 9887

Опубликовано: 28.04.2008

Автор: Каресев Игорь Юрьевич

МПК: C01B 33/107, C01B 33/03, C30B 29/06...

Метки: кремния, поликристаллического, способ, получения

Формула / Реферат:

Способ получения поликристаллического кремния, включающий водородное восстановление кремния, отличающийся тем, что получение кремния осуществляют путем хлорирования в солевом расплаве техногенных отходов, содержащих редкоземельные металлы, с выходом газовой фазы тетрахлорсилана, с последующей его очисткой и восстановлением в среде ионизированного водорода в плазмохимическом реакторе, при этом расплавленной средой служит электролит, содержащий...

Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 9303

Опубликовано: 28.12.2007

Авторы: Левчук Николай Евгеньевич, Хохлов Александр Евгеньевич, Марышев Сергей Павлович, Ширипов Владимир Яковлевич, Хисамов Айрат Хамитович

МПК: C23C 14/46, H01L 21/203

Метки: варианты, пленок, кремния, нанесения, нитрида, вакууме, способ

Формула / Реферат:

1. Способ нанесения пленок нитрида кремния в вакууме на неподвижно установленную подложку, при котором в вакуумную камеру подают смесь рабочих газов: азота и аргона, формируют ионный пучок по крайней мере из одного источника ионов, мишень из кремния распыляют направленным ионным пучком, а распыленный материал осаждают на подложку послойно путем сканирования ее поверхности, при этом источник ионов вместе с мишенью перемещают...

Способ получения трихлорсилана и кремния, используемого для получения трихлорсилана

Загрузка...

Номер патента: 9060

Опубликовано: 26.10.2007

Авторы: Хоэль Ян-Отто, Реэ Торбьерн, Ронг Харри Мортен, Эйе Харальд Арнльот

МПК: C01B 33/107

Метки: получения, трихлорсилана, используемого, кремния, способ

Формула / Реферат:

1. Способ получения трихлорсилана взаимодействием кремния с газообразным HCl при температуре от 250 до 1100шС и абсолютном давлении 0,5-30 атм в реакторе с псевдоожиженным слоем, в реакторе с движущимся слоем или в реакторе с неподвижным слоем, отличающийся тем, что подаваемый в реактор кремний содержит от 30 до 10 000 промиль хрома. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подаваемый в реактор кремний содержит от 50 до 1000 промиль хрома. 3....

Суспензия диоксида кремния и способ получения указанной суспензии

Загрузка...

Номер патента: 8739

Опубликовано: 31.08.2007

Авторы: Дингсейр Эльдар О., Вассей Бьерн, Достель Магне, Олдензил Кор

МПК: C04B 22/06, C04B 24/38

Метки: суспензии, суспензия, указанной, способ, кремния, получения, диоксида

Формула / Реферат:

1. Суспензия, содержащая воду, частицы аморфного диоксида кремния с размером частиц менее 1 мкм и кварцевую муку с размером частиц от 2 до 200 мкм, отличающаяся тем, что она содержит полисахарид в качестве стабилизатора в количестве от 0,01 до 3 г полисахарида на литр суспензии. 2. Суспензия по п.1, отличающаяся тем, что полисахаридом является производное целлюлозы, выбранное из ксантана, карбоксиметилцеллюлозы, гидроксиметилцеллюлозы,...

Электронагревательный элемент, выполненный из карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 5792

Опубликовано: 30.06.2005

Автор: Битсон Джон Джордж

МПК: H05B 3/14

Метки: кремния, элемент, выполненный, электронагревательный, карбида

Формула / Реферат:

1. Керамический электронагревательный резистивный элемент, содержащий по меньшей мере один керамический отрезок с высоким удельным сопротивлением и по меньшей мере два керамических отрезка, каждый из которых имеет участок с высоким удельным сопротивлением и участок с низким удельным сопротивлением, при этом участки отрезков с низким удельным сопротивлением снабжены выводами для подключения к источнику питания, а смежные с ними участки с высоким...

Осажденные частицы диоксида кремния для кошачьего туалета

Загрузка...

Номер патента: 5781

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Доктер Виллем Хендрик, Леливелд Николас Х.М., Хулсхоф Виллем Таде, Кольтцер Юрген

МПК: C01B 33/193, A01K 1/015

Метки: диоксида, частицы, осажденные, кошачьего, туалета, кремния

Формула / Реферат:

1. Осажденные частицы диоксида кремния, имеющие поверхности с гранями и отношение длина : ширина : глубина 1:1:1 - 3:3-1:1, причем длина частиц составляет 0,25-15 мм; поглощающую способность PV для воды (мас.%) >125, объем пор PV Hg (мл/г) 0,8-4, объем пор PV N2 (мл/г) 0,2-1,5, насыпную плотность BD (г/л) 200-500. 2. Осажденные частицы диоксида кремния по п.1, где pH составляет 8 или менее, предпочтительно 6 или менее. 3. Осажденные частицы...

Способ осаждения оксида кремния в процессе выщелачивания цинковой руды

Загрузка...

Номер патента: 5523

Опубликовано: 28.04.2005

Авторы: Риеккола-Ванханен Марья, Фуглеберг Сигмунд, Пеккала Пертти, Талонен Пану

МПК: C22B 3/08

Метки: руды, выщелачивания, процессе, оксида, кремния, осаждения, способ, цинковой

Формула / Реферат:

1. Способ выщелачивания цинксодержащего кремнистого сырья для извлечения цинка, отличающийся тем, что кремнистый материал направляют на кислотное выщелачивание (6), происходящее в сульфокислотном растворе (7), в котором наибольшее содержание кислоты и, следовательно, наиболее низкое значение pH имеют место в начале выщелачивания, в результате чего силикаты в сырье разлагаются и растворяются, выпадая в осадок в виде диоксида кремния, причем...

Аморфные частицы диоксида кремния, содержащие бор

Загрузка...

Номер патента: 5493

Опубликовано: 24.02.2005

Авторы: Доктер Виллем Хендрик, Кюнкелер Паулус Йоханнес

МПК: C08K 3/36, C01B 33/18, C09C 1/30...

Метки: диоксида, частицы, содержащие, кремния, аморфные, бор

Формула / Реферат:

1. Аморфная частица диоксида кремния, содержащая от 0,00001 до 12,5 мас.% атомов бора, отличающаяся тем, что атомы бора ковалентно связаны с атомами кислорода в структуре диоксида кремния. 2. Аморфная частица диоксида кремния по п.1, отличающаяся тем, что содержит от 0,001 до 10 мас.% атомов бора. 3. Аморфная частица диоксида кремния по п.1 или 2, отличающаяся тем, что дополнительно содержит от 0,05 до 15 мас.% атомов алюминия, которые...

Фармацевтический препарат, содержащий клодронат в качестве активного ингредиента и агрегат микрокристаллической целлюлозы и диоксида кремния в качестве наполнителя

Загрузка...

Номер патента: 2331

Опубликовано: 25.04.2002

Авторы: Рантала Эва-Мария Сусанне, Лехтола Вели-Матти, Рантала Пертти Тапани

МПК: A61K 9/20

Метки: ингредиента, активного, содержащий, наполнителя, агрегат, качестве, фармацевтический, целлюлозы, микрокристаллической, препарат, клодронат, диоксида, кремния

Формула / Реферат:

1. Фармацевтический препарат для перорального введения, включающий фармакологически приемлемую соль дихлорметиленбисфосфоновой кислоты и агрегат микрокристаллической целлюлозы и диоксида кремния, взятого в количестве примерно 0,1-20% от массы микрокристаллической целлюлозы. 2. Препарат по п.1, отличающийся тем, что он включает 5-25 мас.% агрегата микрокристаллической целлюлозы и диоксида кремния. 3. Препарат по п.1, отличающийся тем, что он...

Способ производства гранул цеолита х с низким содержанием двуокиси кремния с низким содержанием инертного связующего

Загрузка...

Номер патента: 1175

Опубликовано: 30.10.2000

Автор: Пле Доминик

МПК: C01B 39/22

Метки: двуокиси, способ, цеолита, инертного, низким, содержанием, связующего, производства, кремния, гранул

Формула / Реферат:

1. Способ производства цеолитовых тел, состоящих, по меньшей мере, на 95% из цеолита Х с низким содержанием двуокиси кремния, включающий следующие стадии: (а) агломерацию порошка цеолита Х с низким содержанием двуокиси кремния с помощью связующего, содержащего, по меньшей мере, 80% глины, которая может быть превращена в цеолит, (б) формование смеси, полученной по пункту (а), (в) высушивание и последующую кальцинацию при температуре от 500 до...

Диоксид кремния, используемый в составах для ухода за зубами

Загрузка...

Номер патента: 508

Опубликовано: 28.10.1999

Авторы: Амиш Фредерик, Дромар Адриен

МПК: C01B 33/193, A61K 7/16

Метки: составах, используемый, диоксид, ухода, кремния, зубами

Формула / Реферат:

1. Абразивный осажденный диоксид кремния, имеющий: - удельную поверхность БЭТ порядка 15-300 м2/г, предпочтительно порядка 20-250 м2/г; - поглощение масла ДОФ порядка 40-160 мл/г, предпочтительно порядка 50-140 мл/г; - средний диаметр частиц, по меньшей мере, 10 мкм, обычно порядка 12-30 мкм; - коэффициент сцепления частиц, по меньшей мере, приблизительно 85% для среднего диаметра частиц порядка 12-20 мкм. 2. Диоксид кремния по п.1,...

Таблетки валацикловира, содержащие коллоидный диоксид кремния

Загрузка...

Номер патента: 276

Опубликовано: 25.02.1999

Авторы: Картер Бэрри Хауард, Тиллмен Ллойд Гэри

МПК: A61K 9/20

Метки: содержащие, таблетки, кремния, диоксид, валацикловира, коллоидный

Формула / Реферат:

1. Таблетка, содержащая, по меньшей мере, приблизительно 50% (мас./мас.) валацикловира или его соли, наполнитель на основе целлюлозы, связьшающий агент, смазывающее вещество и приблизительно от 0,05 до приблизительно 3% (мас./мас.) коллоидного диоксида кремния, причем валацикловир или его соль присутствуют внутри гранул таблетки, смазывающее вещество, диоксид кремния и, по меньшей мере, часть наполнителя на основе целлюлозы присутствуют...